Investigation of Temperature Dependence on CuO Sputter deposited Si(100) Surface

Abstract

Si(100) 표면에 아르곤과 산소 비율 각 50%인 혼합가스를 RF magnetron sputtering을 통해 CuO를 증착시켜서 Copper oxide film을 만들었다. 이 Copper oxide film을 423, 573, 723, 873, 1023 K의 온도로 각각 열처리 하여 그 화학적성분과 산화상태를 XPS를 이용하여 확인하였다. Copper oxide films 에서의 산화상태는 CuO와 Cu₂O의 두 가지로 존재한다. 열처리 온도가 높아짐에 따라 Cu₂O의 비율은 감소하고 CuO의 비율은 증가한다. 이를 통해 열처리 온도가 올라감에 따라 Cu₂O 보다는 CuO가 많이 형성됨을 알 수 있었다. 이러한 결과들은 Copper oxide film에서 산화상태를 이해하는데 많은 정보를 제공할 수 있을 것이다.

This thesis was results of synthesis and characterization of copper oxide coated on the surface of p-type Si (100) with various annealing temperatures at ratio of oxygen 50 %. The copper thin film was deposited on Si(100) surface by means of RF magnetron sputtering process. The obtained copper surface was examined with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that intensities of Cu peaks change with different annealing temperatures (423, 573, 723, 873, and 1023K).