금속산화물을 이용한 양자점 발광다오이드에 대한 연구

Abstract

본 연구에서는 금속 산화물인 WO3와 MoO3을 나노분쇄, Sol-gel법을 이용해 CdSe/CdS/ZnS 양자점 발광재료(Quantum Dot)로 QD-LEDs (Quantum-dot light-emitting diodes) 소자를 제작 하였다. 소자의 구조는 ITO (Indium-tin-oxide) / WO3 (Tungsten oxide), MoO3 (Molybdenum oxide) / PVK (Poly-9(vinlycarbazole)) / Quantum Dot (QD) / ZnO (Zinc Oxide) / Al (Aluminum)으로 양극 (Anode), 정공 주입층 (Hole injection layer, HIL), 정공 수송층 (Hole transport layer, HTL), 발광층 (Light emission layer, EML), 전자 주입층 (Electron injection layer, EIL), 그리고 음극 (Cathode)순으로 적층되어 있으며 양극과 음극을 제외한 나머지 층들은 용액 공정으로 형성 하였다. 나노분쇄법과 Sol-gel 법으로 제작한 WO3 와 MoO3 로 구성된 소자들의 전기적, 광학적 특성을 비교 해 보았는데, 적색 계열의 약 620 nm의 주 파장 스펙트럼, 반치폭은 약 30 nm 인 것을 확인 하였고. 전류(J)-전압(V)-휘도(L) 그래프를 통해 WO3 나노분쇄법과 Sol-gel법으로 제작된 소자의 특성은 350, 400 cd/m2 휘도와 0.4 ,0.4 cd/A 효율 특성을 보이며 외부양자효율 (External quantum efficiency, EQE) 약 0.15, 0.3 %로 나오는 것을 알 수 있었고 MoO3 나노분쇄법과 Sol-gel법은 160, 210 cd/m2 휘도와 0.5, 0.05 cd/A 효율 특성을 보이며 외부양자효율 (External quantum efficiency, EQE) 약 0.03 ,0.4 %로 나오는 것을 확인 하였다.