Organic FET의 효율적인 전자주입을 위한 환원성 중간층 도입 및 도핑에 관한 연구
- Alternative Title
- Study on Introduction and Doping of Reducing Interlayer for Efficient Electron Injection of Organic FET
- Abstract
- Flexible electronic devices such as the recently released foldable phones are gradually being applied to reality. Using organic semiconductors for flexible and stretchable electronics is one of the good ways. Organic semiconductors have flexible mechanical properties and can be processed at low temperature, solution process, large area printing and low cost process. However, currently developed organic semiconductor materials are not enough to replace the characteristics of existing silicon-based semiconductors. The biggest problem is the mobility gap. At present, the mobility of organic matter is 1 ~ 10m2/Vs, but silicon has a value of 100m2/Vs or more. In addition, organic materials are vulnerable to air or moisture due to the sensitive nature of the material, which is a big issue for packaging. In addition, it is difficult to ensure uniform performance when producing electronic printing. Among these various issues, we conducted experiments on insufficient mobility increase. Organic semiconductors are much less capable of N-type organic semiconductors than P-type organic semiconductors.
- Author(s)
- 김동은
- Issued Date
- 2020
- Awarded Date
- 2020. 2
- Type
- Dissertation
- Keyword
- Organic field effect transistor Doping organic electronics Organic Thin Film Transistor Organic semiconductor
- Publisher
- 부경대학교
- URI
- https://repository.pknu.ac.kr:8443/handle/2021.oak/24049
http://pknu.dcollection.net/common/orgView/200000282542
- Alternative Author(s)
- Dong Eun Kim
- Affiliation
- 부경대학교 대학원
- Department
- 대학원 NT융합광전자시스템공학협동과정
- Advisor
- 백강준
- Table Of Contents
- I. 서 론 1
II. 배경 이론 3
1. 유기 반도체 소재 3
가. P-type Semiconductors 4
나. N-type Semiconductors 5
다. Ambipolar semiconductors 5
2. FET(Field Effect Transistors) 6
가. OFET(Oranic Field Effect Transistors)의 구조 7
나. OFET(Oranic Field Effect Transistors)의 구동 원리 9
다. 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 11
3. OTFT소자의 제작 방법 13
가. Spin coating 13
4. 고성능 OTFT제작을 위한 실험 15
가. Chare Injection Layer(CIL) 도입 15
나. Doping 16
다. Doping과 Charge Injection layer의 시너지 효과 18
라. Silicagel을 통한 공정의 안정화 18
III. 실험 및 분석 19
1. 실험 재료 19
가. 기판 제작 19
나. Organic Semiconductors 20
다. Dieletric 22
라. CIL material 22
2. 실험 방법 23
가. Charge Injection Layer 형성 23
나. Silicagel을 통한 유기 반도체 제조 24
다. Spin coating을 통한 반도체와 절연체 형성 25
라. Gate 형성 25
3. 실험장비 26
가. 반도체 분석 장비 26
나. UPS(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy) 분석장비 27
다. AFM(Atomic Force Microscope)분석장비 28
IV. 결과 및 고찰 30
1. Charge injection layer의 도입으로 인한 FET의 전기적 특성 변화 분석 30
2. Doping과 Charge injection layer 도입의 시너지 효과 분석 38
3. Silicagel 효과 분석 41
4. UPS(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)data 분석 45
5. AFM(Atomic Force Microscope )을 통한 코팅된 표면 특성 분석 48
V. 결 론 51
- Degree
- Master
-
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- 대학원 > NT융합광전자시스템공학협동과정
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