Chemical Vapor Deposition of Aluminum from Trimethyl Aluminum

Abstract

본 연구는 트리 메틸 알루미늄 (Trimethyl aluminum)을 전구체로 하여 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)된 알루미늄을 기판 온도 400 - 500 ℃ 와 공정압력 1 ? 10 torr 범위에서 실험을 진행하였다. 증착된 알루미늄은 조건에 따라 박막(thin film), 웜(worm) 형상의 막과 나노와이 어의 형태로 형성되었고 그 구조는 기판의 온도, 공정의 압력, 희석 가스 의 종류와 희석 가스의 유량에 따라 결정되었다. 증착된 알루미늄의 형 태와 몰포로지는 전계 방사형 주사전자현미경 (Field Emission Scanning Electron Microscope)과 원자 힘 현미경 (Atomic Force Microscope)으로 관측 하였다. 조성 분석과 박막 내에 탄소의 양을 알기위해서 에너지 분산 X- 선 분광계 (Energy Dispersive X-ray Spectrum)와 X-선 광전자 분광기 (X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 측정하였다.

The chemical vapor deposition (CVD) of aluminum has been studied using trimethyl aluminum in the range of substrate temperature at 400-500 ℃ under 1-10 torr. Deposited aluminums were formed to flat thin films, worm-like films and nanowires depending on various conditions. The nanostructures of aluminum were determined by substrate temperatures, operating pressures, kinds of diluents’ gases and flow of diluents’ gases. The shapes and morphology of deposited aluminums were confirmed by field emission scanning electron microscope (FESEM) and atomic force microscopy (AFM). Composition and effect of carbon contents were studied by energy dispersive X-ray spectrum (EDX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).