Sol-Gel 법에 의한 VO2 박막의 합성과 전기적 특성

Abstract

본 연구에서는 순도 98%의 V2O5 분말을 800℃에서 20분간 용융하여 sol을 만들고 유리기판 위에 sol을 스핀코팅 후 300℃에서 건조하고 이를 10회 반복하여 박막을 만들었다. Ar/H2(Ar 97.5%, H2 2.5%) 분위기의 관상로에서 560℃, 1시간 열처리 하였을 때 반도체-금속 전이 특성이 가장 우수한 VO2 박막을 얻었고, XRD 분석결과 실온에서 monoclinic 구조임을 확인하였다. 이 시료의 반도체-금속 전이온도는 65℃를 나타내었다. 그리고 25℃에서의 비저항은 16.35Ω㎝ 이고, 100℃에서의 비저항은0.009Ω㎝ 으로써 전이특성의 비율은 ρ25℃/ρ100℃ ≊ 2×10³ 로 기존에 보고된 논문(1×104)에 비하여 다소 낮은 값을 보였다.